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图片仅供参考，请参考产品描述

  • BQ4011LYMA-70N

  • 制造商：Texas Instruments
  • 批号：19+
  • 描述：IC NVSRAM 256K PARALLEL 28DIP
  • PDF下载：pdf下载
  • 库存数量：2000+

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详细参数

  • 包装管件
  • 系列-
  • 零件状态停產
  • 存储器类型非易失
  • 存储器格式NVSRAM
  • 技术NVSRAM（非易失性 SRAM）
  • 存储容量256Kb （32K x 8）
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率并联
  • 写周期时间 - 字，页70ns
  • 访问时间70ns
  • 电压 - 电源3V ~ 3.6V
  • 工作温度-40°C ~ 85°C（TA）
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳28-DIP 模块（0.61"，15.49mm）
  • 供应商器件封装28-DIP 模块（18.42x37.72）

其它信息

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