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图片仅供参考,请参考产品描述

  • BQ4011LYMA-70N

  • 制造商:Texas Instruments
  • 批号:19+
  • 描述:IC NVSRAM 256K PARALLEL 28DIP
  • PDF下载:pdf下载
  • 库存数量:2000+

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详细参数

  • 包装管件
  • 系列-
  • 零件状态停產
  • 存储器类型非易失
  • 存储器格式NVSRAM
  • 技术NVSRAM(非易失性 SRAM)
  • 存储容量256Kb (32K x 8)
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率并联
  • 写周期时间 - 字,页70ns
  • 访问时间70ns
  • 电压 - 电源3V ~ 3.6V
  • 工作温度-40°C ~ 85°C(TA)
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳28-DIP 模块(0.61",15.49mm)
  • 供应商器件封装28-DIP 模块(18.42x37.72)

其它信息

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